THUNDERLINE-Z?玻璃絕緣子焊料結(jié)晶的特點(diǎn)就是焊接產(chǎn)生裂紋和不均勻性的外形。雖然不一定是視覺(jué)抵觸的主要原因,但接口中的結(jié)晶很有可能說(shuō)明焊接不良現(xiàn)象,隨著時(shí)間推移,焊接會(huì)不起作用,應(yīng)給予調(diào)整。
CINCON?擁有多個(gè)滿(mǎn)足EN50155標(biāo)準(zhǔn)化的DC-DC轉(zhuǎn)換器系列。CHB150W8的輸入范圍包括18:1至2:1,功率范圍為8W至600W。此外,CINCON還提供了適用于EMI解決方案的內(nèi)嵌濾波器的機(jī)箱走線模塊(CMFC/D)。
Cypress?所有的XMC4000設(shè)備均是由具備內(nèi)嵌DSP指令系統(tǒng)的Arm?Cortex?-M4供電系統(tǒng)。單精度浮點(diǎn)數(shù)模塊、直接內(nèi)存瀏覽(DMA)性能和內(nèi)存保護(hù)模塊(MPU)針對(duì)所有設(shè)備而言都是最前沿的-即便是最低的XMC4000的核心和外接設(shè)備同樣以高達(dá)80MHz的效率使用。
RLC Electronics?的AT-600系列精密步進(jìn)衰減器致力于在DC-1MHz范圍內(nèi)提供極為精準(zhǔn)的衰減系數(shù)。RLC Electronics精準(zhǔn)的精密片式電阻器和表面貼裝技術(shù)結(jié)構(gòu)可以提供準(zhǔn)確度、使用壽命長(zhǎng)和可重復(fù)性。
UMS?的CHA6550-98F是款三級(jí)單片GaAs高功率放大器電路,在輸出端口集成化差模功率檢測(cè)器。因?yàn)闁艠O電壓,可以實(shí)現(xiàn)高至15dB的增益控制。
CREE?的PTVA047002 EVLDMOS FET設(shè)計(jì)用作470MHz至806MHz頻率段的功率放大器應(yīng)用。其特征包括具備螺栓穩(wěn)定法蘭盤(pán)的高增益和耐高溫增強(qiáng)型封裝。
Electro-Photonics?提供主要適用于應(yīng)用領(lǐng)域、功率和工作頻段的3dB90度SMT混合耦合器。Q3XG-4000R耦合器具備SMT性能,對(duì)于推薦的線路板布置進(jìn)行全方位優(yōu)化。
MECA?提供選用2.92mm母頭連接器的IK-22.250隔離器,均值額定功率為2瓦,工作頻段為18.000-26.500GHz,而且隨時(shí)隨地適用,提供滿(mǎn)足IP67標(biāo)準(zhǔn)化的隔離器。
KR Electronics?帶通SMA連接器是種廣泛使用的中小型螺紋連接的同軸連接器,具備頻率段寬.性能優(yōu).高可靠性.使用壽命長(zhǎng)的特性。
API SAW Oscillators?的PPA10法蘭安裝衰減器設(shè)計(jì)用作平均減少RF信號(hào)的功率,同時(shí)即便在極端化功率和氣溫環(huán)境下也只能形成小的反射。
NEL Frequency Controls?的AB-A3DCXXX系列壓控晶體振蕩器(VCXO)具備高頻率LVDS互補(bǔ)式輸出。能夠禁止使用輸出進(jìn)而實(shí)現(xiàn)測(cè)試自動(dòng)化或搭配數(shù)個(gè)時(shí)鐘。
Qorvo?的QPA1724是款高功率封裝Ku波段MMIC放大器,選用Qorvo生產(chǎn)0.15umGaN-on-SiC工藝技術(shù)(QGaN15)制造。QPA1724對(duì)于17.3-21.2GHz通訊衛(wèi)星通信頻段,并且提供5瓦線性功率和25dBc的三階諧波失真產(chǎn)品。
AMCOM?的AM011408LN-P1是款寬帶低噪聲放大器模塊。為通用型技術(shù)應(yīng)用需求設(shè)計(jì)。AM011408LN-P1的頻率范圍為100MHz至1400MHz,相位噪聲為0.8dB,小信號(hào)增益值為20dB。
ATM Microwave?生產(chǎn)制造一系列專(zhuān)業(yè)針對(duì)18.3-31.0GHzKa頻率段衛(wèi)星通訊應(yīng)用的同軸電纜隔離器/環(huán)行器。
Mi-Wave?的567系列雙向耦合器具有多孔全局性的寬帶、寬壁器件。567系列波導(dǎo)型雙向耦合器提供3、6、10、20、30、40和50dB耦合值,應(yīng)用于18至170.0GHz的要求波導(dǎo)頻率段。
ARRA?提供倍頻程、多倍頻程和窄帶規(guī)格的4路功率分配器和組合器。4路功率分配器和組合器包含0.005至18.0GHz不同頻率段,在輸出接口之間提供高隔離度,且具備優(yōu)異的波幅和相位平衡。
HEROTEK? DHM265AAP零偏壓肖特基二極管探測(cè)器具備更寬廣的動(dòng)態(tài)范圍、更高的耐高溫穩(wěn)定性和更精密的平方律性能。
Ironwood?的GHz BGA和QFN/MLF插座特別適合原型制作和驗(yàn)證絕大多數(shù)BGA或QFN設(shè)備技術(shù)應(yīng)用。GHz BGA和QFN/MLF插座提供優(yōu)異的電源完整性,同時(shí)保證成本效率。
JDSU?的TM500O-RU測(cè)試儀是分解的O-RAN網(wǎng)絡(luò)器件之一,致力于實(shí)施較低的mac層和RF功能性。
PULSAR BPSK調(diào)制器可以在端口D1導(dǎo)入±20mA輸出信號(hào),以0°和180°相移調(diào)制輸入信號(hào)。
UMS?的CHA6550-QXG是款三級(jí)單片GaAs高功率放大器,能夠產(chǎn)生2.5w的輸出功率。
CREE?的PTVA102001EA是款200瓦LDMOSFET,主要用于960至1600MHz頻率段的功率放大器技術(shù)應(yīng)用。
ADI?的高度集成放大器、比較器和基準(zhǔn)電壓源產(chǎn)品線包括各種模擬應(yīng)用具備更加靈活構(gòu)建模塊。
RF-Labs?低功率和高功率微波射頻電阻器和端子,包含表面貼裝技術(shù)芯片、內(nèi)置式和蓋式芯片、法蘭安裝式和桿式。RF-Labs電阻器可選用氧化鋁、ALN、BeO和CVD基板材料。
Marki? 90°表面貼裝混合器是種相當(dāng)于功率分配器的耦合器,提供專(zhuān)業(yè)輸入到輸出的相同功率控制,并且在兩個(gè)輸出之間建立寬帶90°相位差。
UMS?的CHA6551-99F是款三級(jí)單片GaAs高功率放大器,能夠產(chǎn)生1.6w的輸出功率。CHA6551-99F具備較高線性度,可實(shí)現(xiàn)增益控制,并集成化功率檢測(cè)器。
Wolfspeed?的CGHV40320D是款氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備更優(yōu)越的性能;CGHV40320D包含較高的擊穿場(chǎng)強(qiáng);較高的飽和電子漂移速率;和較高的導(dǎo)熱系數(shù)。
MITEQ單邊帶調(diào)制器是種能夠更有效率的使用動(dòng)能和帶寬的幅度調(diào)制技術(shù)應(yīng)用。MITEQ單邊帶調(diào)制器與殘留邊帶調(diào)制器有密不可分的關(guān)系。
WENTEQ?的ALN0131-14-3505F是款根據(jù)兩級(jí)GaAsp HEMT的低噪聲放大器模塊,具備集成化帶通濾波器,頻率范圍在1215至1400MHz。ALN0131-14-3505F放大器具備35dB的小信號(hào)增益值,通帶中具備0.5dB的相位噪聲。
RADITEK陶瓷濾波器是通過(guò)鋯鈦酸鉛陶瓷纖維制作而成,將這些陶瓷材料制作成片狀,雙面涂銀用作電極片,通過(guò)直流高壓電源電極化后就具備熱電效應(yīng)。