HMC786LP4E是一款集成LO放大器的高動態范圍無源MMIC混頻器,采用4x4 SMT QFN封裝,工作頻率范圍為0.7至1.1 GHz。 LO驅動為0 dBm時,3G和4G GSM/CDMA應用具有+40 dBm的出色輸入IP3下變頻性能。
HMC785LP4E是一款集成LO放大器的高動態范圍無源MMIC混頻器,采用4x4 SMT QFN封裝,工作頻率范圍為1.7至2.2 GHz。 LO驅動為0 dBm時,3G和4G GSM/CDMA應用具有+38 dBm的出色輸入IP3下變頻性能。
HMC218BMS8GE是一款超小型雙平衡混頻器,采用8引腳表貼塑料封裝(MSOP)。 無源MMIC混頻器采用GaAs Schottky二極管和新穎的平面變壓器片內巴倫結構。 該器件可用作上變頻器、下變頻器、雙相調制器/解調器或相位比較器。
HMC773A是一款通用型雙平衡混頻器,采用無引腳、RoHS兼容型LCC封裝,可用作6 GHz至26 GHz范圍內的上變頻器或下變頻器。此混頻器無需外部元件或匹配電路。
HMC412BMS8GE是一個被動雙平衡混頻器,工作在8至16千兆赫。HMC412BMS8GE與LO驅動電平在9至15 dBm之間工作,并在整個指定頻帶上提供8 dB的轉換損耗。這種混頻器不需要外部元件或偏置。
HMC558ALC3B是一款通用型雙平衡混頻器,采用無引腳RoHS兼容型SMT封裝,可用作5.5至14 GHz范圍內的上變頻器或下變頻器。這款混頻器采用GaAs MESFET工藝制造,無需外部元件或匹配電路。
HMC219B是一款超小型通用雙平衡混頻器,采用8引腳超小型塑料表貼封裝,帶裸露焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造,無需外部元件或匹配電路。
HMC220B是一個超微型,雙平衡混頻器在一個8引腳迷你小外形封裝與裸露墊(Mini SosiEP)。這種基本的單片微波集成電路(MMIC)混頻器由砷化鎵(GaAs)肖特基二極管和平面變壓器Baluns構成。
HMC129ALC4是一款通用型雙平衡單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器,采用符合RoHS標準的無引腳無鉛LCC封裝,在4 GHz至8 GHz工作頻段內可用作上變頻器或下變頻器。HMC129ALC4非常適合需要小尺寸,無需直流偏置和穩定IC性能的應用。
HMC292ALC3B是一款通用型雙平衡單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器,采用符合RoHS標準的無引腳無鉛LCC封裝,在14 GHz至30 GHz頻率范圍內可用作上變頻器或下變頻器。HMC292ALC3B非常適合需要小尺寸,無需直流偏置和穩定IC性能的應用。
HMC6146BLC5A是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q可變增益上變頻器,采用無引腳RoHS兼容型SMT封裝。 該器件提供12 dB小信號轉換增益,具有25 dBc邊帶抑制和17 db增益控制。 HMC 6146BLC5A采用RF可變增益放大器,
HMC6787ALC5A是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q可變增益上變頻器,采用無引腳RoHS兼容型SMT封裝。 該器件提供11 dB小信號轉換增益,具有17 dBc邊帶抑制和13 dB增益控制。 HMC6787ALC5A采用RF可變增益放大器,在其之前為一個I/Q混頻器,LO由X2倍頻器驅動。
HMC7911LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器,采用符合RoHS標準的低應力注射成型塑料SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號轉換增益和25 dBc的邊帶抑制性能。 HMC7911LP5E采用RF放大器工作,前接由驅動放大器驅動LO的I/Q混頻器。
HMC7912LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q上變頻器,采用符合RoHS標準的低應力注射成型塑料SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號轉換增益和18 dBc的邊帶抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作,前接由驅動放大器驅動LO的I/Q混頻器。
HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封裝的緊湊型砷化鎵 (GaAs)、贗晶高電子遷移率晶體管 (pHEMT)、微波單片集成電路 (MMIC) 升頻器,工作頻率范圍為 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器件提供 15 dB 的小信號轉換增益,以及 22 dBc 的邊帶抑制。
HMC572LC5是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 該器件在整個頻段范圍內提供8 dB的小信號轉換增益、3.5 dB的噪聲系數和18 dB的鏡像抑制性能。
HMC904LC5是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 該器件提供12 dB的小信號轉換增益、3 dB的噪聲系數,并在頻段范圍內提供30 dB的鏡像抑制性能。
HMC967LP4E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 該器件提供15 dB的小信號轉換增益、2.5 dB的噪聲系數,并在頻段范圍內提供25 dBc的鏡像抑制性能。 HMC967LP4E采用LNA,后接由有源x2倍頻器驅動的鏡像抑制混頻器。
HMC977LP4E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號轉換增益、2.7 dB的噪聲系數和21 dBc的鏡像抑制性能。 HMC977LP4E采用LNA,后接由有源x2倍頻器驅動的鏡像抑制混頻器。
HMC6147ALC5A是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用無引腳RoHS兼容型SMT封裝。 該器件提供13 dB小信號轉換增益,具有25 dBc邊帶抑制。 HMC6147ALC5A采用低噪聲放大器來驅動I/Q混頻器,LO由X2倍頻器驅動。
HMC6789BLC5A是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用符合RoHS標準的12引腳、陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝。該器件提供14 dB的小信號轉換增益和25 dBc的鏡像抑制性能。HMC6789BLC5A采用低噪聲放大器驅動I/Q混頻器,其中LO由x2乘法器驅動
HMC1065LP4E是一款緊湊型GaAs MMIC鏡像抑制低噪聲變頻器,采用符合RoHS標準的無鉛SMT封裝。 該器件提供13 dB的小信號轉換增益,17 dBc的鏡像抑制和-2 dBm輸入IP3。 HMC1065LP4E利用RF LNA和由有源X2倍頻器驅動的I/Q混頻器工作。
HMC1113LP5E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用無鉛5 x 5 mm低應力注塑塑料表貼封裝。 該器件提供12 dB的小信號轉換增益、1.8 dB的噪聲系數和25 dBc的鏡像抑制性能。 HMC1113LP5E采用LNA,后接由LO緩沖器放大器驅動的鏡像抑制混頻器。
HMC951B是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻器,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 該器件在整個頻段范圍內提供13 dB的小信號轉換增益、2 dB的噪聲系數和24 dB的鏡像抑制性能。 HMC951B采用LNA,后接由LO緩沖器放大器驅動的鏡像抑制混頻器。
HMC8108是一款緊湊型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)同相正交(I/Q)低噪聲轉換器,采用符合RoHS標準的陶瓷無鉛芯片載體封裝。HMC8108將范圍為9 GHz至10 GHz的射頻(RF)輸入信號轉換為輸出端的60 MHz典型單端中頻(IF)信號。
HMC1056LP4BE是一款緊湊型I/Q MMIC混頻器,采用“無鉛”SMT封裝,可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 該混頻器采用兩個標準Hittite雙平衡混頻器單元和一個90度混合器件,均采用GaAs Schottky二極管工藝制造。
HMC1063LP3E是一款緊湊型I/Q MMIC混頻器,采用“無鉛”SMT封裝,可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。 該混頻器采用兩個標準Hittite雙平衡混頻器單元和一個90度混合器件,均采用GaAs Schottky二極管工藝制造。
Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 建立在Qorvo的氮化鎵技術基礎之上,該技術可實現更高的效率,可靠性,功率和可生存性,并可節省尺寸,重量和成本。每個FEM將關鍵的T / R模塊功能集成到一個緊湊的封裝中:T / R開關,功率放大器和低噪聲放大器(LNA)。
HMC520A是一款砷化鎵(GaAs)單芯片微波集成電路(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器,采用符合RoHS標準的24引腳、陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝。該器件可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。
HMC8191是一款無源寬帶I/Q單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器,可用作接收器鏡像抑制混頻器或發射器單邊帶上變頻器。HMC8191具有6 GHz至26.5 GHz的射頻(RF)和本振(LO)范圍以及DC至5 GHz的中頻(IF)帶寬,非常適合需要寬頻率范圍