HMC611LP4(E)對(duì)數(shù)檢波器/控制器將輸入端的RF信號(hào)轉(zhuǎn)換為輸出端成正比的DC電壓。HMC611LP4(E)利用連續(xù)壓縮拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),提供寬輸入頻率范圍內(nèi)的極高動(dòng)態(tài)范圍和轉(zhuǎn)換精度。隨著輸入功率增加,連續(xù)放大器逐漸進(jìn)入飽和,從而生成精確的對(duì)數(shù)函數(shù)近似值。
HMC713LP3E對(duì)數(shù)檢波器/控制器非常適合將RF信號(hào)(50 MHz至8000 MHz頻率范圍內(nèi))的功率在輸出端轉(zhuǎn)換為與輸入功率成正比的直流電壓。 HMC713LP3E采用連續(xù)壓縮技術(shù),可在寬輸入頻率范圍內(nèi)提供具有高測(cè)量精度的54 dB動(dòng)態(tài)范圍。
HMC1021LP4E是一款集成高帶寬包絡(luò)檢波器的RMS功率檢波器。RMS輸出為溫度補(bǔ)償式、單調(diào)、線性dB表示的RF實(shí)信號(hào)功率,采用70 dB的輸入檢測(cè)范圍測(cè)量。
HMC1020LP4E功率檢波器設(shè)計(jì)用于RF功率測(cè)量和頻率高達(dá)3.9 GHz.的控制應(yīng)用。 該檢波器提供精確的任何寬帶、單端RF/IF輸入信號(hào)均方根表示。 輸出為溫度補(bǔ)償式、單調(diào)表示實(shí)信號(hào)功率,采用72 dB的輸入檢測(cè)范圍測(cè)量。
HMC500LP3(E)是一款高動(dòng)態(tài)范圍的矢量調(diào)制器RFIC,用于RF預(yù)失真和前饋消除電路,以及RF消除和波束成形幅度/相位校正電路。 可以使用HMC500LP3(E)的I/Q端口,持續(xù)改變RF信號(hào)的相位和幅度
HMC6300BG46是一款完整的毫米波發(fā)射器集成電路,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的6 mm x 4 mm晶圓級(jí)球柵陣列(WLBGA)封裝,工作頻率范圍為57 GHz至64 GHz,調(diào)制帶寬高達(dá)1.8 GHz。
HMC630LP3和HMC630LP3E均為高動(dòng)態(tài)范圍矢量調(diào)制器RFIC,可用于RF預(yù)失真和前饋消除電路以及RF波束成形和幅度/相位校正電路。 HMC630LP3(E)的I和Q端口可用來連續(xù)改變RF信號(hào)的相位和幅度
NPT1012B氮化鎵28V 25W射頻功率晶體管, 針對(duì)DC-4000MHz的寬帶操作進(jìn)行了優(yōu)化,14 - 28V的高效率,對(duì)于負(fù)載牽引數(shù)據(jù)和非線性模型,若您有任何疑問,請(qǐng)聯(lián)系我們立維創(chuàng)展,我們會(huì)盡最大努力為您服務(wù)。 ?
NPT2021 GaN HEMT是一款寬帶晶體管,針對(duì)DC-2.5 GHz工作進(jìn)行了優(yōu)化。該器件支持CW,脈沖和線性工作,輸出功率為45 W,采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝,帶螺栓法蘭。
NPT2010 GaN HEMT是一款針對(duì)DC-2.2 GHz工作優(yōu)化的寬帶晶體管。該器件設(shè)計(jì)用于連續(xù)波,脈沖和線性工作,輸出功率為100W(50 dBm),采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)金屬陶瓷封裝,帶螺栓法蘭。
NPT1010B氮化鎵氮?dú)?8伏,100W射頻功率晶體管使用SigaNIC?NFR1工藝建造-專有的氮化鎵硅技術(shù)不推薦用于新的應(yīng)用。 若您有任何疑問,請(qǐng)聯(lián)系我們立維創(chuàng)展,我們會(huì)盡最大努力為您服務(wù)。?
NPT25100射頻功率晶體管90W P3dB連續(xù)波功率,優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)有CW、脈沖、WiMAX、W-CDMA、LTE等2100~-2500兆赫其他應(yīng)用的優(yōu)化,高可靠性金金屬化工藝,熱增強(qiáng)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,100%射頻測(cè)試等
NPT2022 GaN HEMT是一種寬帶晶體管,針對(duì)DC-2 GHz工作進(jìn)行了優(yōu)化。該器件支持CW,脈沖和線性工作,輸出功率為100 W(50 dBm),采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝。NPT2022非常適用于國(guó)防通信,陸地移動(dòng)無線電,航空電子設(shè)備,無線基礎(chǔ)設(shè)施,ISM應(yīng)用和VHF / UHF / L / S波段雷達(dá)。
NPA1003QA是一款寬帶,內(nèi)部匹配的GaN MMIC功率放大器,針對(duì)20-1500 MHz工作進(jìn)行了優(yōu)化。該器件設(shè)計(jì)用于CW,脈沖和線性工作,輸出功率超過5W(37 dBm),采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝QFN4X4-16塑料封裝。
MAGx-011086 GaN HEMT是一款寬帶晶體管,針對(duì)DC-6 GHz工作進(jìn)行了優(yōu)化,采用用戶友好型封裝,是高帶寬應(yīng)用的理想選擇。該器件設(shè)計(jì)用于CW,脈沖和線性工作,輸出功率為5W(37 dBm),采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn),低電感,表面貼裝QFN4X4-24塑料封裝。
components.HMC649A是一款6位數(shù)字移相器芯片,額定頻率范圍為3 GHz至6 GHz,提供360度相位覆蓋,LSB為5.625度。 HMC649A在所有相態(tài)具有3度的低RMS相位誤差及±0.5 dB的極低插入損耗變化。
HMC647ALP6E是一款6位數(shù)字移相器,額定頻率范圍為2.5至3.1 GHz,提供360度相位覆蓋,LSB為5.625度。 HMC647ALP6E在所有相態(tài)具有1.5度的極低RMS相位誤差及±0.4 dB的極低插入損耗變化。
HMC642A是一款6位數(shù)字移相器芯片,額定頻率范圍為9 GHz至12.5 GHz,提供360度相位覆蓋,LSB為5.625度。 HMC642A在所有相態(tài)具有2.5度至3.5度的極低RMS相位誤差及±0.25 dB至±0.4 dB的極低插入損耗變化。
HMC648A是一款6位數(shù)字移相器芯片,額定頻率范圍為2.9 GHz至3.9 GHz,提供360度相位覆蓋,LSB為5.625度。 HMC648A在所有相態(tài)具有1.2度至1.5度的極低RMS相位誤差及±0.5 dB的極低插入損耗變化。
HMC264LM3是一款集成LO放大器的20 - 30 GHz表貼次諧波(x2) MMIC混頻器,采用SMT無引腳芯片載體封裝。 在25至35 dB時(shí),2LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置(+3V至+4V)雙級(jí)設(shè)計(jì),僅需-4 dBm的驅(qū)動(dòng)。
HMC265LM3是一款集成LO和IF放大器的20 - 31 GHz表貼次諧波(x2) MMIC混頻器下變頻器,采用SMT無引腳芯片載體封裝。 在28至47 dB時(shí),2LO至RF和IF隔離性能出色,無需額外濾波。
HMC337芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC混頻器,可用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術(shù),芯片整體面積為1.28mm2。 2 LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波。
HMC338LC3B是一款集成LO放大器的24 - 34 GHz次諧波(x2) MMIC混頻器,采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無引腳SMT封裝。 在30 dB時(shí),2LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置(+3V到+4V)設(shè)計(jì),需-5 dBm的標(biāo)稱驅(qū)動(dòng)
HMC339芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC混頻器,可用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術(shù),芯片整體面積為1.07mm2。 2LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波。 LO放大器采用單偏置(+3V至+4V)雙級(jí)設(shè)計(jì),僅需+2 dBm的標(biāo)稱驅(qū)動(dòng)。
HMC404芯片是一款集成LO放大器的次諧波(x2) MMIC鏡像抑制混頻器,可用作上變頻器或下變頻器。 該芯片利用GaAs PHEMT技術(shù),芯片整體面積為2.31mm2。 片內(nèi)90°混合器件提供出色的振幅和相位平衡性能,鏡像抑制大于22 dB。
HMC689LP4(E)是一款高動(dòng)態(tài)范圍無源MMIC混頻器,集成LO放大器,采用4x4 SMT QFN封裝,工作頻率為2.0 - 2.7 GHz。 LO驅(qū)動(dòng)為0 dBm時(shí),3G和4G GSM/CDMA應(yīng)用可以獲得+32 dBm的出色輸入IP3下變頻性能。
HMC685LP4(E)是一款高動(dòng)態(tài)范圍無源MMIC混頻器,集成LO放大器,采用4x4 SMT QFN封裝,工作頻率為1.7 - 2.2 GHz。 LO驅(qū)動(dòng)為0 dBm時(shí),3G和4G GSM/CDMA應(yīng)用可以獲得+32 dBm的出色輸入IP3下變頻性能。 采用1 dB (+27 dBm)壓縮時(shí),RF端口支持各種輸入信號(hào)電平
HMC683LP6C(E)是一款高線性度、雙通道下變頻器,集成LO放大器,采用6x6 SMT QFN封裝,工作頻率為0.7 - 1.0 GHz。 LO驅(qū)動(dòng)為0 dBm時(shí),3G和4G GSM/CDMA應(yīng)用可以獲得+23 dBm的出色輸入IP3下變頻性能。
HMC682LP6C(E)是一款高線性度、雙通道下變頻器,集成LO放大器,采用6x6 SMT QFN封裝,工作頻率為1.7 - 2.2 GHz。 該器件針對(duì)3G和4G GSM/CDMA應(yīng)用提供+25 dBm的出色輸入IP3性能以進(jìn)行下變頻,LO驅(qū)動(dòng)為0 dBm。
HMC666LP4(E)是一款高動(dòng)態(tài)范圍無源MMIC混頻器,集成LO放大器,采用4x4 SMT QFN封裝,工作頻率為3.1 - 3.9 GHz。 HMC666LP4(E)與HMC688LP4(E)引腳兼容,后者是一款2.0 - 2.7 GHz混頻器,集成LO放大器。