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L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R

2018-11-02 16:43:06

L波段S波段大功率砷化鎵功率場效應晶體管AM100MX-CU-R，這一部分的總柵極寬度為10mm。AM100MX-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。Cu系列是一種特殊設計的陶瓷封裝，具有直線式引線和凸緣安裝式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R

2018-11-02 16:38:17

P波段高功率微波應用砷化鎵MESFET器件AM072MX-CU-R，這部分有一個全面的研究7.2mm門的寬度。在AM072MX-CU-R是自行設計的用于高功率微波應用，操作到6GHz。研究銅系列的照片，是在一個自行設計的陶瓷包裝與直導和Cu / W的蓋在一個下拉的安裝方式。

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R

2018-11-02 16:36:21

L波段S波段高功率微波應用設計射頻晶體管AM048MX-QG-R ，

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R

2018-11-01 17:03:32

C波段S波段射頻晶體管AM036MX-QG-R，這一部分的總柵極寬度為3.6mm。AM036MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R

2018-11-01 16:52:18

L波段S波段射頻晶體管放大器AM024MX-QG-R ，這一部分的總柵極寬度為2.4mm。AM024MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。QG系列是一個塑料封裝，所有引腳彎曲的表面安裝風格的PC板。封裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R

2018-11-01 16:40:48

S波段P波段晶體管AM012MX-QG-R，這一部分的總柵極寬度為1.2mm。AM012MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。QG系列是一個塑料封裝，所有引腳彎曲的表面安裝風格的PC板。封裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R

2018-11-01 16:28:11

L波段S波段射頻晶體管AM006MX-QG-R，這一部分的總柵極寬度為0.6mm。AM9006MX-QG-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率高達6GHz。QG系列是一個塑料封裝，所有引腳彎曲的表面安裝風格的PC板。封裝的底部同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R

2018-11-01 16:06:54

Ku波段射頻晶體管放大器AM005WN-00-R，其總柵極寬度為0.5mm。這是一個裸模，可以運行到18千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為33.4 dBm。它可用于低噪聲、高動態(tài)范圍的接收機和高功率發(fā)射機的驅動器。這部分是符合RoHS標準的。

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R

2018-11-01 16:01:32

X波段Ku波段射頻晶體管AM012WN-00-R，

S波段X波段Ku波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290

2018-11-01 08:55:59

S波段C波段X波段Ku波段K波段分布式低噪聲放大器芯片CMD290，2-26 GHz（S，C，X，Ku，K波段）GaN低噪聲放大器MMIC，。該寬帶器件非常適合要求低噪聲系數(shù)性能和高輸入功率生存能力的應用。CMD290提供12.5 dB的增益，相應的噪聲系數(shù)為2.3 dB，13 GHz時的輸出1 dB壓縮點為+19 dBm。

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片

2018-11-01 08:50:48

低噪聲放大器CMD163軍事K波段低噪聲放大器芯片，是一款高動態(tài)范圍GaAs MMIC低噪聲放大器，非常適用于軍事，空間和通信系統(tǒng)，其中小尺寸和高線性度是關鍵設計要求。該器件針對21 GHz進行了優(yōu)化，可提供超過24 dB的增益，相應的輸出1 dB壓縮點為+19 dBm，噪聲系數(shù)為1.3 dB。

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R

2018-10-31 16:40:41

C波段VSAT射頻晶體管AM025WN-00-R，其總柵極寬度為2.5mm（兩個1.25mm的FET并聯(lián)）。這是一個裸模，可以運行到15千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為40.5 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R

2018-10-31 16:26:13

X波段Ku波段射頻晶體管AM100WN-00-R，其總柵極寬度為10mm（八個1.25mm的FET并聯(lián)）。這是一個裸模，可以運行到15千兆赫。它可以提供典型的飽和功率為46.1 dBm。

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R

2018-10-31 16:20:35

X波段Ku波段射頻晶體管AM050WN-00-R，

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R

2018-10-31 16:06:12

X波段射頻晶體管C波段射頻晶體管AM005WN-BI-R，其總柵極寬度為0.5mm。它在陶瓷封裝中運行可達12 GHz。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R

2018-10-31 15:54:34

X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R，是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極寬度為1.25mm。它是在陶瓷BI封裝，運行高達10千兆赫。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R

2018-10-31 15:42:33

C波段射頻晶體管S波段射頻晶體管AM025WN-BI-R，是一個離散的GaN/SiC HEMT，其總柵極寬度為2.5mm。它在陶瓷封裝中運行可達8 GHz。BI系列使用特殊設計的陶瓷封裝，具有彎曲（Bi-G）或直（BI）引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R

2018-10-31 15:35:42

P波段L波段高功率微波應用AM100WN-CU-R，這個部分的總柵極寬度為10毫米。AM100WN-CU-R是專門為高功率微波應用設計的，工作頻率可達6GHz。CU系列是專門設計的陶瓷封裝，具有直引線和插裝式法蘭。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz

2018-10-31 15:31:39

S波段C波段AM050WN-CU-R陶瓷封裝GaN功率HEMT DC-6GHz，這個部分的總柵極寬度是5mm。AM050WN-CU-R是為高功率微波應用而設計的，工作頻率可達6GHz。CU系列是專門設計的陶瓷封裝，具有直引線和落地式法蘭。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。

軍用雷達系統(tǒng)Ka波段功率放大器模塊AM30040031SF-3H

2018-10-30 17:11:56

軍用雷達系統(tǒng)Ka波段功率放大器模塊AM30040031SF-3H，

雷達X波段功率放大器模塊Ku波段功率放大器模塊AM08513241SF-3H

2018-10-30 17:08:41

雷達X波段功率放大器模塊Ku波段功率放大器模塊AM08513241SF-3H，它是為通用的應用而設計的。它工作在8.5GHz到13.2GHz之間，通常為頻帶（9到11GHz）提供14瓦（41.5dBm）的連續(xù)波輸出功率，為頻帶（11.5到13GHz）提供8瓦（39dBm）的連續(xù)波輸出功率，具有25dB的小信號增益。

X波段功率放大器模塊AM07511242SF-3H

2018-10-30 17:04:28

X波段功率放大器模塊AM07511242SF-3H，它是為通用的應用而設計的。它的工作從7.5GHz到112GHz，通常提供14瓦（41.5 dBm）的連續(xù)波輸出功率和22.5dB小信號增益。放大器模塊有6個螺栓槽用于安裝到散熱器，并使用單+12V至+15V電源操作。

S波段2級功率放大器模塊AM343635SF-2H

2018-10-30 17:00:48

S波段2級功率放大器模塊AM343635SF-2H，

S波段功率放大器雙向無線電AM324036SF-3H

2018-10-30 16:49:38

S波段功率放大器雙向無線電AM324036SF-3H ，它的工作從3.2 GHz到4.2GHz，通常提供超過3.2瓦（35dBm）連續(xù)波輸出功率和29分貝小信號增益。該模塊具有內(nèi)置直流電壓調(diào)節(jié)器和負電壓發(fā)生器。它可以偏置從12V到20V的單電壓供電。

寬帶無線接入S波段功率放大器模塊AM304031SF-3H

2018-10-30 16:47:28

寬帶無線接入S波段功率放大器模塊AM304031SF-3H，它的工作從2.6GHz到4.6GHz，通常提供超過1.25瓦（31 dBm）連續(xù)波輸出功率和29分貝小信號增益。該模塊具有內(nèi)置直流電壓調(diào)節(jié)器和負電壓發(fā)生器。

AM273545SF-6H功率放大器模塊S波段功率放大器

2018-10-29 16:57:48

AM273545SF-6H功率放大器模塊S波段功率放大器，用于無線互聯(lián)網(wǎng)接入、無線本地環(huán)路和雙向無線電。它的工作從2.7GHz到3.5GHz，通常提供超過30瓦（45 dBm）連續(xù)波輸出功率和50dB小信號增益。該模塊內(nèi)置負電壓發(fā)生器。它可以偏置從+11V到+12V單電壓供電。

S波段寬帶高功率放大器模塊AM243638SF-4H

2018-10-29 16:44:22

S波段寬帶高功率放大器模塊AM243638SF-4H，它的工作從2.4GHz到3.6GHz，通常提供超過7瓦（38 dBm）連續(xù)波輸出功率和37分貝小信號增益。該模塊具有內(nèi)置直流電壓調(diào)節(jié)器和負電壓發(fā)生器。

ISM波段T/R模塊AM232537SF-2H

2018-10-29 16:24:11

ISM波段T/R模塊AM232537SF-2H，它工作從2.3GHz到2.5GHz，在發(fā)射側通常提供5瓦(37dBm)連續(xù)波輸出功率和22dB小信號增益，在接收側提供16dB增益，噪聲系數(shù)為1.5dB。該模塊具有內(nèi)置的負電壓電源和保護開關。它可以偏置從+12V到+16V單電壓供電。

雙向無線電S波段功率放大器模塊AM204437SF-3H

2018-10-29 16:20:28

雙向無線電S波段功率放大器模塊AM204437SF-3H，它的工作從2GHz到4.4GHz，通常提供超過4瓦（36dBm）連續(xù)波輸出功率和30dB小信號增益。該模塊具有內(nèi)置直流電壓調(diào)節(jié)器和負電壓發(fā)生器。它可以從12V單電源電壓偏置。

無線本地環(huán)S波段寬帶功率放大器AM183031SF-3H

2018-10-29 16:15:06

無線本地環(huán)S波段寬帶功率放大器AM183031SF-3H，它的工作從1.8GHz至3.4GHz，通常提供超過1.25瓦（31 dBm）連續(xù)波輸出功率和31分貝小信號增益。該模塊具有內(nèi)置直流電壓調(diào)節(jié)器和負電壓發(fā)生器。它可以偏置從12V到20V的單電壓供電。放大器模塊具有用于安裝到散熱片的6個螺釘槽。