X波段射頻晶體管AM012WN-BI-R
發(fā)布時間:2018-10-31 15:54:34 瀏覽:1866
AMCOM的AM012WN-Bi-R是一個離散的GaN/SiC HEMT,其總柵極寬度為1.25mm。它是在陶瓷BI封裝,運行高達10千兆赫。BI系列使用特殊設(shè)計的陶瓷封裝,具有彎曲(Bi-G)或直(BI)引線的安裝方式。封裝底部的法蘭同時作為直流接地、射頻接地和熱路。這部分是符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的。
品牌 | 型號 | 貨期 | 庫存 |
AMCOM | AM012WN-BI-R | 1周 | 50 |
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