AD8310ARM/AD8310ACHIPS是一款完整的直流至440 MHz解調對數放大器(對數放大器),具有極快的電壓模式輸出,能夠在15 ns內將高達25 mA的電流驅動至接地負載。它采用逐步壓縮(連續檢測)技術,提供高達95 dB至±3 dB法律一致性的動態范圍,或90 dB至±1 dB誤差,最高可達100 MHz。
AD8302ARU/AD8302ARUZ-REEL是一款完全集成的系統,用于測量眾多接收,發送和儀表應用中的增益/損耗和相位。它需要很少的外部元件和2.7 V-5.5 V的單電源。交流耦合輸入信號在50Ω系統中的范圍為-60 dBm至0 dBm,從低頻到2.7 GHz。
AD-FMCDAQ2-EBZ模塊由AD9680雙通道,14位,1.0 GSPS,JESD204B ADC,AD9144四通道,16位,2.8 GSPS,JESD204B DAC,AD9523-1 14輸出,1GHz時鐘和電源管理組件。它由內部生成的運營商平臺通過FMC連接器提供時鐘,包括一個完全獨立的數據采集和信號合成原型平臺。
AD-FMCOMMS1-EBZ高速模擬模塊旨在展示最新一代高速數據轉換器。AD-FMCOMMS1-EBZ為各種計算密集型基于FPGA的無線電應用提供模擬前端。
AD7478AAKSZ-500RL7/AD7478AARMZ是8位高速,低功耗,逐次逼近模數轉換器(ADC)的,分別。這些器件采用2.35 V至5.25 V單電源供電,吞吐速率高達1 MSPS。這些器件包含一個低噪聲,寬帶寬的采樣保持放大器,可處理超過13 MHz的輸入頻率。
MACOM的MAAD-008790-000100是一款GaAs pHEMT 5位數字衰減器,帶有集成TTL驅動器。該衰減器旨在最大限度地減少衰減時的相位變化。步長為1.0 dB,總衰減范圍為31.0 dB。
MACOM的MAAD-007086-000100是一款GaAs FET 6位數字衰減器,最小步長為1 dB,總衰減范圍為50 dB。該器件采用SOW-24寬體塑料表面貼裝封裝。
MACOM的MAAD-007084-000100是一款具有集成TTL驅動器的GaAs FET 5位數字衰減器。步長為0.5 dB,總衰減范圍為15.5 dB。該器件采用SOW-16塑料表面貼裝封裝。
MACOM的MAAD-007083-000100是一款GaAs FET 5位數字衰減器,帶有集成TTL驅動器。步長為1.0 dB,總衰減范圍為31 dB。該器件采用32引腳FQFP-N表面貼裝封裝。由于卓越的接地技術,該數字衰減器可提供優于6 GHz的性能。
CREE的CMPA0060025F是一種基于氮化鎵(GaN)HEMT的單片微波集成電路(MMIC)。與硅或砷化鎵相比,GaN具有優異的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度和更高的導熱率。
Wolfspeed的CMPA801B025是一種基于氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。與硅或砷化鎵相比,GaN具有優異的性能,包括更高的擊穿電壓,更高的飽和電子漂移速度和更高的導熱率。
Wolfspeed的CGHV1F025S是一款無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高效率,高增益和寬帶寬功能而設計。該器件可用于L,S,C,X和Ku波段放大器應用。
Wolfspeed的CGH40010是一款無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGH40010采用28伏軌道,為各種射頻和微波應用提供通用寬帶解決方案。GaN HEMT具有高效率,高增益和寬帶寬能力,使CGH40010成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。
Wolfspeed的CGH40006P是一款無與倫比的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。CGH40006P采用28伏軌道,為各種射頻和微波應用提供通用寬帶解決方案。GaN HEMT具有高效率,高增益和寬帶寬能力,使CGH40006P成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。晶體管采用焊接藥丸封裝。
Broadcom的AMMC-6241是一款高增益,低噪聲放大器,工作頻率范圍為26GHz至43GHz。 該器件具有50歐姆的輸入/輸出匹配無條件穩定,可用作主要或次序低噪聲增益級。
AMMC-5040 MMIC是一款高增益寬帶放大器,專為軍事應用和商業通信系統而設計。 這款四級放大器具有輸入和輸出匹配電路,適用于50Ω環境。它采用PHEMT集成電路結構制造,可提供卓越的寬帶性能。
RM342-011-241-5900焊接杯電纜連接器,一系列母型電纜連接器,有三排觸點,間距為0.075“。這些連接器帶有焊杯端接。它們的尺寸范圍為11到206觸點。
HMC205替代件HMC814-Die是一款采用GaAs pHEMT技術的x2有源寬帶倍頻器芯片。 由+4 dBm信號驅動時,該倍頻器在13至24.6 GHz范圍內提供+17 dBm的典型輸出功率。 在19 GHz頻率下,Fo、3Fo和4Fo隔離大于20 dBc。
HMC313(E)是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC放大器,采用Vcc單電源工作。 表面貼裝SOT26放大器可用作寬帶增益級,或用于針對窄帶應用優化的外部匹配。
HMC441LC3B是一款高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用符合RoHS標準的無鉛SMT封裝。 該放大器具有6至18 GHz的工作范圍,提供14 dB增益、+21.5 dBm飽和功率和27% PAE(+5V電源)。
HMC472ALP4E是一款寬帶6位GaAs IC數字衰減器,采用低成本無引腳表面貼裝封裝。 這款每位單個正電壓控制線路的數字衰減器采用片外AC接地電容器,在接近直流的情況下工作,這一特點使得它非常適合各種RF和IF應用。
HMC515LP5E是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。 HMC515LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變容二極管,可輸出半頻,并提供4分頻輸出。
HMC554ALC3B是一款通用型雙平衡混頻器,采用無引腳RoHS兼容型LCC封裝,可用作10 GHz至20 GHz范圍內的上變頻器或下變頻器。該混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造,無需外部元件或匹配電路。
實施固態射頻或微波開關似乎并不是一項艱巨的任務:確定并評估適當的集成電路(IC)開關,如果不存在,請選擇PIN二極管以包含在離散的定制設計中。由于操作頻率高,毫米波RF開關似乎更具挑戰性。
今天的半導體行業正在經歷猖獗的變化,主要是由于終端市場需求的變化和主要的整合。幾十年前,由主要在同一市場上扮演的個體RF公司組成的行業已經被一個新的市場所取代 - 一個裝飾著新市場以及硅谷公司與傳統芯片制造商的重大并購。
隨著技術的不斷發展,每天都會出現新的創新解決方案,所有人都在關注下一步的發展方向。對于MACOM和Verizon,下一個重要步驟是啟用和部署5G通信網絡。Verizon作為一家電信運營商,渴望為其客戶提供更快,更可靠的連接,而MACOM在利用其技術組合開發可使這些新的5G網絡成為可能的組件方面處于獨特的地位。
200G模塊提供了幾個關鍵優勢,其中主要是利用完全模擬架構的靈活性,我們在早期博客文章中評估的優點主要集中在高性能計算(HPC)應用的光學模塊上。雖然比基于主流數字信號處理器(DSP)的解決方案更難實現,但完全模擬光學互連可以提供比基于DSP的解決方案低1,000倍的延遲 - 這是以盡可能最快的速度實現系統和網絡性能的關鍵屬性。
MLP7130-0805-2/MLP7130?硅限幅器PIN二極管是具有2μm(標稱)I層厚度的封裝器件。它采用成熟的二極管制造工藝制造,具有高可靠性和均勻性。該器件具有極低的熱阻(<150oC/ W),可以可靠地處理高達33 dBm CW的大RF功率電平和高達47 dBm的RF峰值入射功率(1μs脈沖寬度,0.1%占空比)在TA =25oC時。嚴
MLP7120-2012/MLP7120限制器PIN二極管是低串聯電阻MLP7120-2012限制器PIN二極管是一種低串聯電阻,低電容限制器PIN二極管,采用表面貼裝,低寄生塑料封裝。它采用Cobham Metelics專有二極管工藝制造,具有出色的性能和高可靠性。
MLP7100/MLP7101/MLP7102/MLP7110系列限幅二極管是經過特殊處理的PIN二極管,具有薄的本征區域,設計用于100 MHz至20 GHz以上的無源或有源限幅器。不同的“I”區域厚度和電容提供可變的閾值和泄漏功率水平以及功率處理能力。