產品詳情介紹
CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。
非常適合脈沖雷達應用。
CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝上提出的。它基于準MMIC技術。
它采用密封法蘭陶瓷金屬電源封裝,可提供低寄生和低熱阻。
重要參數
CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管
射頻帶寬(GHz): 1.2-1.4
小信號增益(dB):20
功率(W):200
相關增益(dB): > 14
P-1dB輸出(dBm):-
PAE(%): 52
訂貨交期:3-4周
產品詳情介紹
CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。
非常適合脈沖雷達應用。
CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT工藝上提出的。它基于準MMIC技術。
它采用密封法蘭陶瓷金屬電源封裝,可提供低寄生和低熱阻。