產品詳情介紹
CHA2157-99F是兩級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
它設計用于從軍事到商業通信系統的廣泛應用。
該電路采用pHEMT工藝制造,柵極長度為0.15μm,通過襯底的通孔,空氣橋和電子束柵極光刻技術制造。
它以芯片形式提供。
重要參數
CHA2157-99F 放大器– LNA
射頻帶寬(GHZ):55-65
增益(dB):10
增益同軸度(dB):1
噪聲系數(dB):3.5
P-1dB輸出(dBm):15
訂貨交期:3-4周
產品詳情介紹
CHA2157-99F是兩級低噪聲和中功率放大器。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
它設計用于從軍事到商業通信系統的廣泛應用。
該電路采用pHEMT工藝制造,柵極長度為0.15μm,通過襯底的通孔,空氣橋和電子束柵極光刻技術制造。
它以芯片形式提供。