產(chǎn)品詳情介紹
CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該電路采用pHEMT工藝制造,柵極長度為0.25μm,通過基板的通孔,空氣橋和電子束柵極光刻技術(shù)制造。
它以符合RoHS的SMD封裝提供。
重要參數(shù)
CHA3688aQDG 放大器– LNA
射頻帶寬(GHZ):12.5-30
增益(dB):26
增益同軸度(dB):2
噪聲系數(shù)(dB):2
P-1dB輸出(dBm):14
訂貨交期:3-4周
產(chǎn)品詳情介紹
CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該電路采用pHEMT工藝制造,柵極長度為0.25μm,通過基板的通孔,空氣橋和電子束柵極光刻技術(shù)制造。
它以符合RoHS的SMD封裝提供。