產品詳情介紹
NPT2010 GaN-HEMT是一種寬帶晶體管,為DC-2.2ghz工作而優化。該裝置設計用于連續波、脈沖和線性操作,輸出功率級為100W(50dBm),采用帶螺栓法蘭的工業標準金屬陶瓷封裝。
特征
適合線性和飽和應用
可從DC-2.2 GHz調諧
48V操作
工業標準包
高排水效率(>60%)
應用
國防通信
陸地移動無線電
航空電子設備
無線基礎設施
ISM應用
VHF/UHF/L波段雷達
重要參數
NPT2010B大功率射頻功率晶體管
工作頻率:DC-2.2GHz
功率: 100W-50dBm
高可靠性陶瓷鍍金封裝
GaN工藝
產品詳情介紹
NPT2010 GaN-HEMT是一種寬帶晶體管,為DC-2.2ghz工作而優化。該裝置設計用于連續波、脈沖和線性操作,輸出功率級為100W(50dBm),采用帶螺栓法蘭的工業標準金屬陶瓷封裝。
特征
適合線性和飽和應用
可從DC-2.2 GHz調諧
48V操作
工業標準包
高排水效率(>60%)
應用
國防通信
陸地移動無線電
航空電子設備
無線基礎設施
ISM應用
VHF/UHF/L波段雷達