CMD195是一款裸片式非反射式GaAs射頻/微波MMIC SPDT開關,采用裸片形式。CMD195涵蓋直流至20 GHz,具有2 dB的低插入損耗和37 dB的高隔離度以及正增益斜率。正增益斜率功能允許將多個開關級聯在一起,而無需增益均衡電路。
CMD236C4是一款寬帶MMIC SP6T開關,采用無引腳4x4 mm表面貼裝封裝。CMD236C4覆蓋直流至18 GHz,插入損耗低至2.5 dB,10 GHz時的高隔離度為42 dB。該開關還包括一個板載二進制解碼器電路,它將所需的邏輯控制線數量從五個減少到三個。
美國AMCOM 公司的市場人員在例行拜訪Raytheon公司發現,他們在2003年選用的AMCOM的寬帶放大器芯片產品,用于雷達預警系統的項目,持續工作近15年時間,目前在全球眾多防務客戶中,均未反饋有故障發生。對此,Raytheon公司雷達項目工程師團隊給予AMCOM公司極高的品質評價。
CMD174管芯是GaAs MMIC 5位移相器。CMD174工作頻率為3至6 GHz,提供0至360度的單調相位覆蓋,LSB為11.25度。該器件采用0或-3 V單比特負邏輯控制,插入損耗為7.6 dB,相位誤差為±2度。
CMD176P4是一款GaAs MMIC 4位移相器,采用無引腳4x4 mm塑料表面貼裝(SMT)封裝。CMD176P4工作頻率范圍為13至17 GHz,提供0至360度的單調相位覆蓋,LSB為22.5度。RF /微波器件采用0或+3 V的單比特正邏輯控制,插入損耗為8 dB,相位誤差為±5度。
CMD174P4是一款GaAs MMIC 5位移相器,采用無引腳4x4 mm塑料表面貼裝(SMT)封裝。CMD174P4工作頻率為3至6 GHz,提供0至360度的單調相位覆蓋,LSB為11.25度。移相器采用0或-3 V的單比特負邏輯控制,插入損耗為7.6 dB,相位誤差為±2度。
CMD175P4是一款GaAs MMIC 5位移相器,采用無引腳4x4 mm塑料表面貼裝(SMT)封裝。CMD175P4工作頻率為2至4 GHz,提供0至360度的單調相位覆蓋,LSB為11.25度。該RF /微波器件采用0或-3 V的單比特負邏輯控制,插入損耗為7 dB,相位誤差為±5度。
隨著毫米波的商用產品不斷出現,如微波回傳和車載雷達等,與之匹配連接的柔性毫米波電纜組件的需求明顯。通常電纜的強度和插損難以兼顧,而市場受限于各相關部件性能挑戰和組裝的難度,比如介質不良或導線折疊也會產生規律性的問題,而影響產品的電氣性能。
CMD227C3是一款寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器,采用陶瓷QFN封裝。當由+15 dBm信號驅動時,乘法器在23 GHz的輸出頻率下提供11 dB的轉換損耗。Fo和3Fo隔離度分別為38 dBc和49 dBc。
CMD256芯片是寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器。當由+15 dBm信號驅動時,乘法器在34 GHz的輸出頻率下提供15 dB的轉換損耗。Fo隔離度為38 dBc。CMD256采用50歐姆匹配設計,無需RF端口匹配。
CMD226N3是一款寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器,采用陶瓷QFN封裝。當由+15 dBm信號驅動時,乘法器在18 GHz的輸出頻率下提供10.5 dB的轉換損耗。Fo和3Fo隔離度分別為44 dBc和46 dBc。
CMD225C3裸片是寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器,采用無引腳表面貼裝(SMT)封裝。當由+15 dBm信號驅動時,乘法器在12 GHz的輸出頻率下提供13 dB的轉換損耗。Fo和3Fo隔離度分別> 47 dBc和> 54 dBc。
CMD213芯片是寬帶MMIC GaAs x2有源倍頻器MMIC。當由+ 17dBm信號驅動時,乘法器提供30至40 GHz的+17 dBm輸出功率。在35 GHz時,Fo隔離度大于46 dBc。
CMD214芯片是寬帶MMIC GaAs x2有源倍頻器。當由+ 13dBm信號驅動時,乘法器提供從24到36 GHz的+17 dBm輸出功率。在26 GHz時,Fo和3Fo隔離度分別> 32 dBc和> 25 dBc。
CMD227芯片是寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器。當由+15 dBm信號驅動時,乘法器在23 GHz的輸出頻率下提供11 dB的轉換損耗。
CMD226芯片是寬帶MMIC GaAs x2無源倍頻器。當由+15 dBm信號驅動時,乘法器在18 GHz的輸出頻率下提供10.5 dB的轉換損耗。Fo和3Fo隔離度分別為44 dBc和46 dBc。
CMD225芯片是寬帶MMIC GaAs MMIC x2無源倍頻器/倍頻器。當由+15 dBm信號驅動時,該MMIC乘法器在12 GHz的輸出頻率下提供12 dB的轉換損耗。
CMD257C4是一款采用無引腳表面貼裝封裝的高IP3 I / Q混頻器,可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。CMD257C4采用兩個雙平衡混頻器單元和一個90度混合器。
CMD258C4是一款采用無引腳表面貼裝封裝的高IP3 I / Q混頻器,可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。CMD258C4采用兩個雙平衡混頻器單元和一個90度混合器。
CMD255C3是一款通用雙平衡混頻器,采用無引腳表面貼裝封裝,可用于16至26 GHz的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD255C3對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+15 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD254C3是一款采用無引腳表面貼裝封裝的高IP3雙平衡混頻器,可用于11至20 GHz之間的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD254C3對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+15 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD253C3是一款采用無引腳表面貼裝封裝的高IP3雙平衡混頻器,可用于6至14 GHz的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD253C3對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+15 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD251C3是一款通用雙平衡混頻器,采用無引腳表面貼裝封裝,可用于4至8.5 GHz的上變頻和下變頻應用。由于優化的巴倫結構,CMD251C3對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+15 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD252C4是一款緊湊型I / Q混頻器,采用無引腳表面貼裝封裝,可用作鏡像抑制混頻器或單邊帶上變頻器。CMD252C4采用兩個雙平衡混頻器單元和一個90度混合器。需要外部IF混合來完成鏡像抑制。
CMD180是一款通用雙平衡混頻器,采用無引腳表面貼裝封裝,可用于20至32 GHz的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD180對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+9 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD261是一款通用雙平衡混頻器芯片,具有超寬IF帶寬,可用于30至46 GHz之間的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD261對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+15 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD181是一款通用雙平衡混頻器芯片,可用于26至45 GHz之間的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD181對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+15 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD177是一款通用雙平衡混頻器芯片,可用于6至14 GHz的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD177對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+9 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD180C3是一款采用無引腳表面貼裝(SMT)封裝的通用雙平衡混頻器,可用于20至32 GHz的上變頻和下變頻應用。由于優化的巴倫結構,CMD180C3混頻器MMIX對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+9 dBm的LO驅動電平下工作。
CMD179C3是一款采用無引腳表面貼裝(SMT)封裝的通用雙平衡混頻器MMIC,可用于16至26 GHz之間的上變頻和下變頻應用。由于優化的平衡 - 不平衡轉換器結構,CMD179C3 MMIC對RF和IF端口具有非常高的隔離度,并且可以在低至+9 dBm的LO驅動電平下工作。