LT1965IMS8E#PBF是一款低噪聲、低壓差線性穩壓器。該器件可提供 1.1A 的輸出電流和一個 310mV 的典型壓差。LT1965IMS8E#PBF工作靜態電流為 500μA (可調版本),并在停機模式中降至 1μA 以下。
LT3014ES5#TRMPBF是一款高電壓、微功率低壓差線性穩壓器。該器件能夠提供 20mA 輸出電流和一個 350mV 的壓差。
LTM9013IY-AA#PBF是一款 300MHz 寬帶接收器。該器件采用集成系統級封裝 (SiP) 技術,是 μModule? (微型模塊) 接收器,內置一個雙通道高速 14 位 A/D 轉換器、低通濾波器、差分增益級和一個正交解調器。
LT1764AEQ#PBF是一款低壓差穩壓器,專為實現快速瞬態響應而優化的。該器件能提供 3A 的輸出電流和一個 340mV 的壓差電壓。工作靜態電流為 1mA,并在停機模式中減小至 <1μA。
LTM4620AEY#PBF是一款完整的雙通道 13A 或單通道 26A 輸出開關模式 DC/DC 電源,與 LTM4620 相比,其 VOUT 帶寬更寬而且效率更高。封裝中內置了開關控制器、功率 FET、電感器和所有的支持組件。
LT1963AES8系列是低壓差穩壓器,專為實現快速瞬態響應而優化。這些器件可提供 1.5A 的輸出電流和一個 340mV 的壓差電壓。工作靜態電流為 1mA,并在停機模式中降至 1μA 以下。
LT1528CQ#PBF是一款 3A 低壓差穩壓器,專為處理因現今這一代微處理器所引起的大負載電流瞬變而優化。在目前市售的 PNP 穩壓器當中,這款器件的瞬態響應速度是最快的,而且對于電容器 ESR 中的偏差具有非常高的耐受度。
LTC2990IMS用于監視系統溫度、電壓和電流。該器件可通過 I2C 串行接口進行配置,以測量內部溫度、遠端溫度、遠端電壓、遠端電流和內部 VCC 的多種組合。
HMC394LP4(E)是一款低噪聲GaAs HBT可編程5位計數器,采用4x4 mm無鉛表面貼裝封裝。 在輸入頻率高達2.2 GHz時,該器件可在N為2至32范圍進行連續分頻。
HMC507LP5(E)是一款GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC VCO。HMC507LP5(E)集成了諧振器、負電阻器件和變容二極管,可輸出半頻。 由于振蕩器的單芯片結構,VCO的相位噪聲性能在溫度、沖擊和工藝條件下均非常出色。
HMC644ALC5是一款5位數字移相器,額定頻率范圍為15至18.5 GHz,提供360度相位覆蓋,LSB為11.25度。 HMC644ALC5在所有相態具有3.5度的極低RMS相位誤差及±0.5 dB的極低插入損耗變化。
HMC658是一系列寬帶固定值50 Ω匹配衰減器芯片,提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相對衰減電平。 這些無源旋轉器和衰減器非常適合需要極端平坦衰減和出色的VSWR與頻率關系的微帶、混合及多芯片模塊應用。
HMC326MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT) MMIC驅動器放大器,工作頻率范圍為3至4.5 GHz。 該放大器采用低成本、表面貼裝8引腳封裝,帶有裸露基座以改善RF和熱性能。
HMC432(E)是一款低噪聲2分頻靜態分頻器,使用InGaP GaAs HBT技術,采用超小型表面貼裝SOT26塑料封裝。 此器件在DC(使用方波輸入)至8 GHz的輸入頻率下工作,使用+3V DC單電源。
HMC753是一款GaAs MMIC低噪聲寬帶放大器,采用無引腳4x4 mm塑料表貼封裝。 該放大器的工作頻率范圍為1至11 GHz,提供高達16.5 dB的小信號增益、1.5 dB噪聲系數及+30 dBm輸出IP3,同時采用+5V電源的功耗僅55 mA。
HMC792ALP4E是0.25 dB LSB GaAs MMIC 6位數字衰減器,采用SMT封裝,DC - 6 GHz?,應用于蜂窩/3G基礎設施、WiBro / WiMAX / 4G、微波無線電和VSAT、測試設備和傳感器等
HMC655是一系列寬帶固定值50 Ω匹配衰減器芯片,提供0、2、3、4、6、10、15和20 dB相對衰減電平。 這些無源旋轉器和衰減器非常適合需要極端平坦衰減和出色的VSWR與頻率關系的微帶、混合及多芯片模塊應用。
HMC1167是一款集成諧振器、負電阻器件和變容二極管的單芯片微波集成電路(MMIC)壓控振蕩器(VCO),具有半頻輸出。由于振蕩器采用單芯片結構,因而在溫度范圍內具有出色的輸出功率和相位噪聲性能。
HMC702是一款SiGe BiCMOS小數N分頻頻率合成器。 該頻率合成器內置一個8GHz 16位RF N分頻器、一個24位Σ-Δ調制器、一個極低噪聲數字鑒頻鑒相器(PFD)和一個精密控制電荷泵。
HMC447LC3是一款低噪聲4分頻再生分頻器,采用InGaP GaAs HBT技術。 這款寬帶分頻器的工作輸入頻率為10到26 GHz,可接受極寬范圍的輸入功率水平。
HMC468ALP3E是一款寬帶3位GaAs IC數字衰減器,采用低成本無引腳表面貼裝封裝。 在DC到6.0 GHz頻率下工作,插入損耗低于1 dB典型值,最高達到4 GHz。 衰減器位值為1 (LSB)、2和4 dB,總衰減為7 dB。
HMC587LC4B是一款寬帶GaAs InGaP電壓控制振蕩器,集成了諧振器、負電阻器件、變容二極管。 由于振蕩器的單芯片結構,其輸出功率和相位噪聲性能在不同的溫度下始終非常出色。
HMC561是一款采用GaAs pHEMT技術的x2有源寬帶倍頻器芯片。 由+5 dBm信號驅動時,該倍頻器在8至21 GHz范圍內提供+17 dBm的典型輸出功率,在16 GHz頻率下,Fo和3Fo隔離均為15 dBc。
HMC695LP4E是一款利用InGaP GaAs HBT技術制造而成的有源微型x4倍頻器,采用4x4 mm無鉛表貼封裝。 在+5V電源電壓下,功率輸出為+7 dBm(典型值)且相對輸入功率、溫度和電源電壓變化很小。
HMC565LC5是一款高動態范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器,采用符合RoHS標準的無引腳5x5mm SMT封裝。 HMC565LC5工作頻率范圍為6至20 GHz,在整個工作頻段內具有21 dB小信號增益、2.5 dB噪聲系數和+20 dBm輸出IP3。
HMC746是一種AND / NAND / OR / NOR功能,旨在支持高達13 Gbps的數據傳輸速率和高達13 GHz的時鐘頻率。HMC746可以很容易地配置為提供以下任何邏輯功能:AND,NAND,OR和NOR。
HMC903LP3E是一款自偏置砷化鎵(GaAs)單片微波集成電路(MMIC),假晶(pHEMT),低噪聲放大器(LNA),具有用于降低IDQ的選項偏置控制。它采用16引腳,3 mm×3 mm,LFCSP封裝。
HMC1082LP4E是一款GaAs pHEMT MMIC驅動放大器,集成了溫度補償片上功率檢測器,工作頻率范圍為5.5至18 GHz。該放大器在1 dB增益壓縮下提供22 dB增益,+ 35 dBm輸出IP3和+24 dBm輸出功率,而+ 5V電源則需要220 mA。
HMC442是一款高效的GaAs PHEMT MMIC中功率放大器,工作頻率范圍為17.5至25.5 GHz。HMC442在+ 5V電源電壓下提供15 dB增益,+ 23 dBm飽和功率和25%PAE。由于尺寸小,放大器芯片可以輕松集成到多芯片模塊(MCM)中。
CMPA601C025F GaN HEMT MMIC放大器提供25瓦的功率,瞬時帶寬為6至12 GHz。GaN HEMT MMIC采用耐熱增強型10引腳陶瓷封裝。這款器件采用50歐姆的小尺寸封裝,可提供高功率6至12 GHz高效放大器。