?1700 V分立碳化硅MOSFET CREE
發布時間:2024-12-12 17:26:18 瀏覽:430
CREE的1700 V碳化硅(SiC)MOSFET能夠實現相對較小、高效率的功率轉換系統。與硅基處理方式相比較,CREE碳化硅技術能夠提高系統功率密度、較高的工作頻率、較小的結構設計、更冷門的的模塊、較小的模塊規格(電感器、電容器、濾波器和變壓器)和整體成本效率。
特征
12-15V柵極驅動電壓
適用于反激式應用時的0V關閉電壓
低電容高速度開關
漏極和源極之間的寬擊穿電壓和縫隙
優勢
較高的系統效率和功率密度
提供數個12-48V設備,降低制冷需求
較高的工作頻率
典型應用
電源轉換
開關電源
電源逆變器
根據1500V的系統
高壓DC/DC轉換器
電機控制器
脈沖功率應用
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Product SKU | Status | Blocking Voltage | RDS(ON) at 25°C | Current Rating | Tjmax | Package | Qualification |
C3M0900170D | Active | 1700 V | 900 mΩ | 6.3 A | 175 °C | TO-247-3 | Industrial |
C3M0900170M | Active | 1700 V | 900 mΩ | 6.3 A | 175 °C | TO-247-3PF | Industrial |
C3M0900170J | Active | 1700 V | 900 mΩ | 6.3 A | 175 °C | TO-263-7 | Industrial |
C2M0045170D | Last Time Buy | 1700 V | 45 mΩ | 75 A | 150 °C | TO-247-3 | Industrial |
C2M0045170P | Last Time Buy | 1700 V | 45 mΩ | 75 A | 150 °C | TO-247-4 Plus | Industrial |
C2M1000170D | Last Time Buy | 1700 V | 1000 mΩ | 5 A | 150 °C | TO-247-3 | Industrial |
C2M1000170J | Last Time Buy | 1700 V | 1000 mΩ | 5.3 A | 150 °C | TO-263-7 | Industrial |
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