WS1A2639-V1-R3K S波段功率放大器CREE
發(fā)布時間:2024-11-14 17:26:18 瀏覽:434
WS1A2639-V1-R3K是CREE的一款非對稱多赫蒂功率放大器模塊(PAM),將GaN on SiC技術(shù)應用和現(xiàn)代化的匹配和偏置電壓網(wǎng)絡(luò)集成在具備高端散熱系統(tǒng)的多層層壓基材上。WS1A2639-V1-R3K頻率范圍在2496 MHz至2690 MHz。并且使用最高50V的電源電壓;均值輸出功率標準為6至8 W,最高值因子下降,數(shù)字預失真的LTE和5G NR數(shù)據(jù)信號,瞬時帶寬高至200 MHz。WS1A2639-V1-R3K被封裝在6mm X 6mm的焊層柵格陣列(LGA)封裝中。
產(chǎn)品規(guī)格
闡述:38.5dBmGaN on SiC功率放大器模塊;2496-2690MHz
最低頻率(MHz):2496
最高頻率(MHz):2690
P3dB輸出功率(W):50
增益值(dB):16.5
效率(%):57
額定電壓(V):48
封裝類別:表面貼裝
封裝:封裝分立晶體管
技術(shù)應用:SiC上的GaN
特征
GaN基SiC技術(shù)應用
從器件兩側(cè)為主導和最高值子放大器具備柵極偏置電壓電源
集成化諧波終端
無鉛并滿足RoHS標準
推薦的驅(qū)動安裝是WSGPA01
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