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?GTVA261802FC-V1高功率RF GaN放大器CREE

發(fā)布時間：2024-10-29 17:05:16 瀏覽：441

CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D模式放大器，適用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩狀功率放大器技術(shù)應(yīng)用。GTVA261802FC-V1具備輸入適配、高效率和無軸環(huán)熱增強(qiáng)封裝的特性。

產(chǎn)品規(guī)格

闡述：SiC HEMT上的高功率RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

最低頻率（MHz）：2620

最大的頻率（MHz）：2690

P3dB輸出功率（W）：170

增益值（dB）：16.8

高效率（%）：43

額定電壓（V）：48

封裝類別：Earless

封裝：封裝分立晶體管

技術(shù)：SiC上的GaN

特征

?GaN-on-SiC HEMT技術(shù)

?輸入適配

?典型的脈沖CW性能，組合輸出，

2690 MHz，48 V，10μs脈沖寬度，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的輸出功率

-P3dB時的漏極高效率=65.5%

-P3dB=15dB時的增益值

?能夠完成48 V、180 W（CW）輸出功率下10:1的VSWR

?模特模型1A級（根據(jù)ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低導(dǎo)熱系數(shù)

?無鉛并滿足RoHS標(biāo)準(zhǔn)

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