一级做a爰片久久免费,小视频黄,亚洲色播永久网址大全

PTRA087008NB-V1高功率射頻LDMOS場效應晶體管CREE

發布時間：2024-10-21 17:05:16 瀏覽：319

PTRA087008NB-V1是一款650瓦的高功率射頻LDMOS場效應晶體管。設計用于755 MHz至805 MHz的多標準蜂窩功率放大器應用。PTRA087008NB-V1采用先進的LDMOS工藝制造；PTRA087008NB-V1具有優異的熱性能和優異的可靠性。

特征

寬帶內部輸入輸出匹配

非對稱設計：主P1dB=245W典型值；峰值P1dB=380 W典型值

典型的脈沖CW性能；805兆赫；48v；Doherty配置：P3dB=650W時的輸出功率；效率=52%；增益=19.5 dB

能夠在48 V下處理10:1 VSWR；30 W（WCDMA）輸出功率

集成ESD保護

符合RoHS標準

產品規格

說明：高功率RF LDMOS FET 650 W；48v；755-805兆赫

最小頻率（MHz）：500

最大頻率（MHz）：1000

P3dB輸出功率（W）：380

增益（dB）：18.5

效率（%）：52

工作電壓（V）：48

包裝類別：塑料

形式：封裝分立晶體管

技術：LDMOS

深圳市立維創展科技有限公司授權經銷CREE微波器件，如若需要購CREE產品，請點擊右側客服聯系我們！！！

上一篇: 使用具有獨立柵極偏置控制的并行晶體管的GaN HEMT放大器的線性增強

下一篇: CHA4220-98F分布式驅動放大器UMS

最新自拍偷拍视频,在线播放精品一区二区啪视频,在线视频综合视频免费观看,亚洲狠狠色丁香婷婷综合,亚洲成人黄色网址,一区二区三区在线