?CGHV50200衛星通信氮化鎵高電子遷移率晶體管CREE
發布時間:2024-01-16 17:16:48 瀏覽:662
CGHV50200F是種專門設計用在高效化氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能;從而使得CGHV50200F成為了對流層光學散射通訊的最佳選擇;4.4-5.0GHzC頻率段衛星通訊應用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。
特征
4.4–5.0GHz工作
180W常見PSAT
11.5dB常見功率增益值
48%常見電源效率
50Ω內部適配
應用領域
衛星通訊
超越視線——BLOS
對流層光學散射通訊
產品規格
描述:200瓦;4400-5000MHz;50Ω輸入/輸出適配;氮化鎵高電子遷移率晶體管
最低頻率(MHz):4400
最高頻率(MHz):5000
最高值輸出功率(W):200
增益值(dB):11.5
工作效率(%):33
額定電壓(V):40
形式:封裝形式分立晶體管
封裝類型:法蘭盤
技術應用:GaN-on-SiC
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