CG2H80060D C波段GaN HEMT管芯CREE
發(fā)布時(shí)間:2022-10-31 16:57:57 瀏覽:959
Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優(yōu)異的性能指標(biāo);CG2H80060D包含更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng);更高的飽和電子漂移速率;及其更高的導(dǎo)熱系數(shù)。與Si和GaAs晶體管相比較,CG2H80060D具備更多的功率密度參數(shù)和更寬的網(wǎng)絡(luò)帶寬。
特征
60W典型的PSAT
28V操控
高擊穿場(chǎng)強(qiáng)
高溫度操控
最高的8GHz操控
效率高
應(yīng)用
雙重專用型收音機(jī)
寬帶放大器
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)
測(cè)試設(shè)備
ClassA;AB;主要用于OFDM的線性放大器;W-CDMA;邊緣;CDMA波型
CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創(chuàng)新產(chǎn)品,CREE科銳是一個(gè)完整的設(shè)計(jì)合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業(yè)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的機(jī)器設(shè)備提供更強(qiáng)的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開(kāi)始的GaN基材LED產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產(chǎn)品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產(chǎn)品為特色。
深圳市立維創(chuàng)展科技是CREE的經(jīng)銷商,擁有CREE微波器件優(yōu)勢(shì)供貨渠道,并長(zhǎng)期庫(kù)存現(xiàn)貨,以備中國(guó)市場(chǎng)需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CG2H80060D-GP4 | GaN on SiC | DC | 8 GHz | 60 W | >12 dB | 70% | 28 V | Discrete Bare Die | Die |
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