C波段氮化鎵 HEMT放大器CGHV1F025 CREE
發布時間:2022-08-17 16:53:17 瀏覽:673
Wolfspeed的CGHV1F025S是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMTs)設計的高效率;高增益和寬頻帶性能。CGHV1F025適合于L、S、C、X和KU波段放大器技術應用。數據規格基于x波段(8.9-9.6GHz)放大器。
CGHV1F025S運作在40伏鐵路道岔上,封裝在3mmx4mm;表面安裝;雙扁平無導線(DFN)封裝。減少了功率;CGHV1F025可以從40V至20VVDD電壓下運行;保持高增益和高效率。
特征
高達15GHz的操控
25W典型輸出功率
9.4GHz時11dB增益值
8.9–9.6GHz的技術應用電路
應用
L;S;C;X 和Ku波段放大器
CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品,CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產品為特色。
深圳市立維創展科技是CREE的經銷商,擁有CREE微波器件優勢供貨渠道,并長期庫存現貨,以備中國市場需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CGHV1F025S-AMP1 | GaN on SiC | 8.9 GHz | 9.6 GHz | 25 W | 11 dB | 51% | 40 V | Evaluation Board | Surface Mount |
CGHV1F025S | GaN on SiC | DC | 15 GHz | 25 W | 11 dB | 51% | 40 V | Packaged Discrete Transistor | Surface Mount |
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