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C波段GaN MMIC 功率放大器CMPA0060025 CREE

發布時間：2022-08-15 17:02:49 瀏覽：962

Wolfspeed的CMPA0060025是種基于氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)。與硅或砷化鎵相比較，氮化鎵具備優異的性能參數。

其中包括相對較高的擊穿電壓;較高的飽和電子漂移速度和較高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較，GaNHEMTs還提供了更好的功率密度和更寬的帶寬。CMPA0060025能夠在很小的空間中實現相當寬的帶寬。

特征

18dB小信號增益值

30W經典PSAT

工作電壓高至50V

高擊穿電壓

高溫度使用

應用

超寬帶放大器

測試設備

EMC放大器驅動器

CREE（科銳）成立于1987年，CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品，CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴，符合射頻的需求，CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界，到微波射頻與毫米波芯片產品，CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed，以寬帶、大功率放大器產品為特色。

深圳市立維創展科技是CREE的經銷商，擁有CREE微波器件優勢供貨渠道，并長期庫存現貨，以備中國市場需求。

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產品 SKU	技術	最小頻率	最大頻率	峰值輸出功率	獲得	效率	工作電壓	形式	包裝類型
CMPA0060025D	碳化硅上的氮化鎵	DC	6GHz	25 W	18dB	33%	50 V	MMIC Bare Die	Die
CMPA0060025F	碳化硅上的氮化鎵	DC	6GHz	25 W	17dB	28%	50 V	Packaged MMIC	Flange
CMPA0060025F-AMP	碳化硅上的氮化鎵	DC	6GHz	25 W	17dB	28%	50 V	Evaluation Board	Flange
CMPA0060025F1-AMP	碳化硅上的氮化鎵	DC	6GHz	25 W	17dB	28%	50 V	Evaluation Board	Flange
CMPA0060025F1	碳化硅上的氮化鎵	DC	6GHz	25 W	17dB	28%	50 V	Packaged MMIC	Flange

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