C波段氮化鎵 HEMT CG2H80015D CREE
發布時間:2022-08-10 17:04:39 瀏覽:747
Wolfspeed的CG2H80015D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比較具備優異的性能參數;包含更高的擊穿場強;更高的飽和電子偏移速度;和更高的導熱系數。與Si和GaAs晶體管相比較,GaN HEMT提供更高的功率因素和更寬的帶寬。
特征
15W典型PSAT
28伏操控
高擊穿場強
高溫操控
高達8GHz的操控
效率高
應用
2路個體收音機
寬帶放大器
蜂窩基礎建設
測試設備
ClassA;AB;主要用于OFDM的線性放大器;W-CDMA;邊沿;CDMA波型
CREE(科銳)成立于1987年,CREE科銳具備30多年的寬帶GAP原材料和創新產品,CREE科銳是一個完整的設計合作伙伴,符合射頻的需求,CREE科銳為行業內技術領先的機器設備提供更強的功率和更低的功能損耗。CREE科銳由最開始的GaN基材LED產品技術領先全世界,到微波射頻與毫米波芯片產品,CREE科銳于2017年分離出微波射頻品牌Wolfspeed,以寬帶、大功率放大器產品為特色。
深圳市立維創展科技是CREE的經銷商,擁有CREE微波器件優勢供貨渠道,并長期庫存現貨,以備中國市場需求。
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Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
CG2H80015D-GP4 | GaN on SiC | DC | 8 GHz | 15 W | >12 dB | 70% | 28 V | Discrete Bare Die | Die |
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