金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）是一種能夠 改善開關(guān)電源模塊的某些參數(shù)性能，例如提升開關(guān)電源模塊的工作電流、工作電壓、減少導(dǎo)通電阻、提升電源開關(guān)性能等優(yōu)勢(shì)，為不同的結(jié)構(gòu)和工藝提供不一樣的技術(shù)服務(wù)。
開關(guān)電源模塊中DC/DC電源開關(guān)選取MOSFET是個(gè)非常復(fù)雜的過(guò)程，不僅需要考慮MOSFET的額定電流和電壓，還必須要在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間保持穩(wěn)定。
開關(guān)電源模塊DC/DC因高效率而廣泛運(yùn)用在許多電子產(chǎn)品中，如DC/DC電源模塊中同時(shí)具有高側(cè)FET和低側(cè)FET，而FET會(huì)按照控制器設(shè)置的占空比進(jìn)行電源開關(guān)操作，致力于達(dá)到理想的輸出電壓。
開關(guān)電源模塊的FET與控制器需組合使用，為了提升高電流和高效率，FET需要使用控制器外部元器件，實(shí)現(xiàn)最大散熱功能。因FET物理隔離需要控制器，并具能最大的限度的選取靈活特性。因此FET選取過(guò)程更加復(fù)雜，需要考慮的要素也就更多。
開關(guān)電源模塊電源開關(guān)在接通過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)DC/DC損耗，因?yàn)?/span>FET是接通電阻，但是接通電阻會(huì)隨FET的溫度而變化而變化，所以，想要精確計(jì)算接通電阻，就必須要使用迭代方法，并充分考慮FET的溫升情況。開關(guān)電源模塊減少DC/DC損耗最簡(jiǎn)單的一種方法便是選用一個(gè)低接通電阻的FET。而且DC/DC損耗大小同FET的百分比接通時(shí)間成正比例關(guān)系，為此，能夠 通過(guò)減小接通時(shí)間/FET占空比來(lái)減少DC/DC損耗。
選取低柵極電荷和低接通電阻的FET是一種簡(jiǎn)便的解決方法，必需在這兩種參數(shù)之間做一些折中和平衡。低柵極電荷就代表著更小的柵極面積/更小的并聯(lián)晶體管，及其就此帶來(lái)高導(dǎo)通電阻。與此同時(shí)，采用更大/更多并聯(lián)晶體管一般會(huì)導(dǎo)致低接通電阻，所以產(chǎn)生更多的柵極電荷。
電源模塊想要低占空比必需輸入高電壓，高側(cè)FET大部分時(shí)間均為關(guān)閉狀態(tài)，所以DC/DC損耗較低。但是，高FET電壓帶來(lái)高AC/DC損耗，能夠選取低柵極電荷的FET，即便接通電阻較高。低側(cè)FET大部分時(shí)間均為接通模式，但是AC/DC損耗卻最小。這是因?yàn)榻油?/span>/關(guān)閉期間低側(cè)FET的工作電壓因FET體二極管而非常低。所以，必需選取一個(gè)低接通電阻的FET，而且柵極電荷能夠很高。
電源模塊持續(xù)減少輸入電壓并提升其占空比，能夠得到最小的AC/DC損耗和最大的DC/DC損耗，采用一個(gè)低接通電阻的FET，并其中選取高柵極電荷。控制器占空比由低升高時(shí)DC/DC損耗線性降低，高控制器占空比時(shí)損耗最小。整體電路板的AC/DC損耗都很少，所以任何情況下都應(yīng)選取采用低接通電阻的FET。
與高占空比組成FET損耗最少，而且工作效率最大。工作效率從94.5%升至96.5%。但是，低輸入電壓時(shí)必需降低電源電壓軌的電壓，使其占空比提升，根據(jù)固定輸入電源供電，會(huì)抵消在POL獲得的一部分或全部增益。另一種方式是直接從電源輸入到POL穩(wěn)壓器，目的是降低穩(wěn)壓器數(shù)，占空比較低。
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