X3C19F1-03S低剖面,高性能的3dB混合耦合器原裝庫存
發(fā)布時間:2020-04-22 09:58:29 瀏覽:1644
X3C19F1-03S是一個低剖面,高性能的3dB混合耦合器在一個新的易于使用,制造友好的表面安裝包。它專為AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段應用而設計。X3C19F1-03S是專為平衡功率和低噪聲放大器、信號分配和其他需要低插入損耗和緊幅相平衡的應用而設計的。它可以用于25瓦以下的大功率應用。零件經(jīng)過嚴格的鑒定測試,并使用熱膨脹系數(shù)(CTE)與常見基板(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺)兼容的材料制造。采用符合6/6 RoHS標準的浸錫處理工藝生產(chǎn)。
X3C19F1-03S特征:
1700-2300兆赫
AMPS、GSM、WCDMA和LTE
高功率
非常低的損耗
緊密振幅平衡
高隔離度
生產(chǎn)友好型
磁帶和卷盤
無鉛
X3C19F1-03S重要參數(shù)
頻率(GHZ):1.7 - 2.3
功率(W):25
回波損耗(dB):25
插入損耗(dB):0.20
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