JP503AS低剖面,高性能3dB混合耦合器原裝庫存
發布時間:2020-04-01 08:51:37 瀏覽:1550
JP503AS是一個低剖面,高性能的3dB混合耦合器在一個易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為W-CDMA和其他3G應用而設計的。JP503AS是為平衡放大器、可變移相器和衰減器、低噪聲放大器、信號分配而設計的,是無線工業日益增長的小型印刷電路板和高性能需求的理想解決方案。零件經過嚴格的鑒定測試,并使用熱膨脹系數(CTE)與常見基板(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺)兼容的材料制造。采用6/6符合RoHS標準的浸錫處理。
JP503AS特征:
2.0–2.3千兆赫。
3G頻率
低損耗
高隔離度
90°正交
表面貼裝
磁帶和卷盤
無鉛
100%測試
JP503AS重要參數
頻率(GHZ):2.0 - 2.3
功率(W):25
回波損耗(dB):20.8
插入損耗(dB):0.30
深圳市立維創展科技有限公司是Anaren品牌的代理經銷商,主要提供貼片混合耦合器、巴倫變壓器、延遲線、定向耦合器、Doherty合路器、功分器、微蜂窩型耦合器、 RF Crossovers產品,產品原裝庫存,極具價格優勢,歡迎咨詢
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